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2023年8月7日 本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三 对4H-碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大 ...2023年8月7日 本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三
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2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。 近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热 碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。 近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热
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2024年1月26日 借助碳化硅DSRD 可以将峰值超过千伏的电压脉冲的前沿缩短到300 ps; 碳化硅DSRD与DAS 的组合可以输出脉冲前沿在35 ps、 峰值超过2 kV的电压脉冲。 仿真 基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术2024年1月26日 借助碳化硅DSRD 可以将峰值超过千伏的电压脉冲的前沿缩短到300 ps; 碳化硅DSRD与DAS 的组合可以输出脉冲前沿在35 ps、 峰值超过2 kV的电压脉冲。 仿真
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2023年11月22日 SiC FET的脉冲电流能力量化. 日期：2023-11-22. 宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用作者：Qorvo功率器件高级工程经 SiC FET的脉冲电流能力量化 --- Power Systems Design 中国 ...2023年11月22日 SiC FET的脉冲电流能力量化. 日期：2023-11-22. 宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用作者：Qorvo功率器件高级工程经
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2021年10月22日 碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。 由于SiC更高的额定电压、更低的系统运行温度、具备更高的电流 SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed2021年10月22日 碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。 由于SiC更高的额定电压、更低的系统运行温度、具备更高的电流
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本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉 碳化硅探测器的最大线性电流研究本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉
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硅基高压功率器件的di/dt,dv/dt能力正在达到自身极限,具有禁带宽度大,临界击穿电场高,热导率高以及电子饱和漂移速度大等优越物理特性的碳化硅(SiC)材料的研究,给新一代电力电 高压碳化硅GTO器件结构与特性研究 - 百度学术硅基高压功率器件的di/dt,dv/dt能力正在达到自身极限,具有禁带宽度大,临界击穿电场高,热导率高以及电子饱和漂移速度大等优越物理特性的碳化硅(SiC)材料的研究,给新一代电力电
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碳化硅（SiC）结合了硅（原子序数14）和碳（原子序数6），形成类似于金刚石的强共价键，是一种坚固的六方结构化合物，具有宽禁带半导体特性。. 带隙是将电子从围绕原子核 Silicon Carbide The Facts – CN Navitas碳化硅（SiC）结合了硅（原子序数14）和碳（原子序数6），形成类似于金刚石的强共价键，是一种坚固的六方结构化合物，具有宽禁带半导体特性。. 带隙是将电子从围绕原子核
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2018年8月1日 在本文中，研究了碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 在脉冲功率应用中的潜力。 通过电容器放电实验表征和比较了 1.2-kV、30-A 商用 Si Si IGBT 和 SiC MOSFET 用于脉冲电源应用的浪涌电流能力 ...2018年8月1日 在本文中，研究了碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 在脉冲功率应用中的潜力。 通过电容器放电实验表征和比较了 1.2-kV、30-A 商用 Si
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2021年1月7日 另一方面，碳化硅属于单极性器件，因此碳化硅芯片的并联数量越多，其总导通损耗越低，并可因此提高电控的效率。. 所以，选择芯片并联数量时，除了最高结温限制了最大输出功率，还必须考虑它对于系 碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估2021年1月7日 另一方面，碳化硅属于单极性器件，因此碳化硅芯片的并联数量越多，其总导通损耗越低，并可因此提高电控的效率。. 所以，选择芯片并联数量时，除了最高结温限制了最大输出功率，还必须考虑它对于系
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2021年11月9日 1193. 在同步 Buck 变换器中， MOSFET 开通与 关断 瞬间，由于 POL 自身寄生电感和电容以及PCB 走线的寄生电感和电容参数的原因开关节点会 产生高频振荡 。. 过高的 振荡 会增加损耗、加重 EMI 干 SiC MOSFET高频振荡的简单分析_mosfet关断过程 2021年11月9日 1193. 在同步 Buck 变换器中， MOSFET 开通与 关断 瞬间，由于 POL 自身寄生电感和电容以及PCB 走线的寄生电感和电容参数的原因开关节点会 产生高频振荡 。. 过高的 振荡 会增加损耗、加重 EMI 干
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2023年12月20日 影响系统EMC指标。最后，驱动电压尖峰带来的高频震荡还会导致电流 ... 双脉冲 测试方法 瞻芯电子采用经典的双脉冲测试方法，来复现分析SiC MOSFET的开关过程中驱动电压尖峰，以便采取对策。在双脉冲测试中，Q1和Q2为瞻芯 ... SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）-瞻芯电子新闻 ...2023年12月20日 影响系统EMC指标。最后，驱动电压尖峰带来的高频震荡还会导致电流 ... 双脉冲 测试方法 瞻芯电子采用经典的双脉冲测试方法，来复现分析SiC MOSFET的开关过程中驱动电压尖峰，以便采取对策。在双脉冲测试中，Q1和Q2为瞻芯 ...
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给新一代电力电子器件的发展带来了希望.碳化硅栅极 ... 电路中得到发展.本文基于半导体二维数值分析软件Synopsys Sentaurus TCAD,设计了一款超高压,高脉冲电流的SiC GTO功率器件.首先,研究了SiC材料特性,分析了SiC GTO器件物理性能并 ... 高压碳化硅GTO器件结构与特性研究 - 百度学术给新一代电力电子器件的发展带来了希望.碳化硅栅极 ... 电路中得到发展.本文基于半导体二维数值分析软件Synopsys Sentaurus TCAD,设计了一款超高压,高脉冲电流的SiC GTO功率器件.首先,研究了SiC材料特性,分析了SiC GTO器件物理性能并 ...
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2023年8月27日 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题-碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，更高的开关频率，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来效率的替身，系统磁性元器件减小，功率密度的提升等优势。 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题 - 模拟技术 ...2023年8月27日 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题-碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，更高的开关频率，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来效率的替身，系统磁性元器件减小，功率密度的提升等优势。
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2023年5月6日 P系列脉冲源表是普赛斯在经典S系列直流源表的基础上打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，最大输出电压达300V，最大脉冲输出电流达10A，支持四象限工作，被广泛应用于各种电气特性测试中。 从Tesla削减75%碳化硅用量的市场猜想看功率器件技术进步 ...2023年5月6日 P系列脉冲源表是普赛斯在经典S系列直流源表的基础上打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，最大输出电压达300V，最大脉冲输出电流达10A，支持四象限工作，被广泛应用于各种电气特性测试中。
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摘要. 摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性 ... 碳化硅探测器的最大线性电流研究摘要. 摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性 ...
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2023年1月13日 由于单级PFC输出的直流电流有比较大的低频波动,所以典型的OBC 系统在PFC 级后还有会DC/DC 变换器级,其输出给车载高压动力电池供电。. 对于常见的400V或800V 电池系统,OBC 输出电压通常为230-450V 与450-900V。. 由于车载用电设备大部分为低压供电,所以动力域还需直流DC ... OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点 - 德州 ...2023年1月13日 由于单级PFC输出的直流电流有比较大的低频波动,所以典型的OBC 系统在PFC 级后还有会DC/DC 变换器级,其输出给车载高压动力电池供电。. 对于常见的400V或800V 电池系统,OBC 输出电压通常为230-450V 与450-900V。. 由于车载用电设备大部分为低压供电,所以动力域还需直流DC ...
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2023年12月20日 碳化硅 MOSFET 通常用于需要在电源的初级侧和次级侧之间进行隔离的高压和大功率应用。. 在这些系统中，能量通过变压器从一侧转移到另一侧，控制器通常放置在一侧，例如次级侧。. 当驱动初级侧的 SiC MOSFET 时，需要使用隔离将驱动信号从次级侧控制器传输到 ... 技术分享碳化硅MOSFET驱动电路详解-电子工程专辑2023年12月20日 碳化硅 MOSFET 通常用于需要在电源的初级侧和次级侧之间进行隔离的高压和大功率应用。. 在这些系统中，能量通过变压器从一侧转移到另一侧，控制器通常放置在一侧，例如次级侧。. 当驱动初级侧的 SiC MOSFET 时，需要使用隔离将驱动信号从次级侧控制器传输到 ...
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2018年1月11日 采用532 nm激光对开关进行了触发, 研究了不同衬底厚度、电压和光强对开关性能的影响. 并使用1064 nm的激光对衬底厚度为0.40 mm SiC光导开关进行了触发, 且与532 nm激光触发的结果进行了比较. 1 实验. 实验采用的半绝缘6H-SiC衬底由中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅 ... 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究2018年1月11日 采用532 nm激光对开关进行了触发, 研究了不同衬底厚度、电压和光强对开关性能的影响. 并使用1064 nm的激光对衬底厚度为0.40 mm SiC光导开关进行了触发, 且与532 nm激光触发的结果进行了比较. 1 实验. 实验采用的半绝缘6H-SiC衬底由中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅 ...
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2024年6月4日 反向恢复电荷 (Qrr) 是当功率器件从指定的正向电流条件切换到具有正向偏置栅极条件的指定反向电压条件时，在单个集电极电流或漏极电流脉冲的指定积分时间期间从功率器件恢复的总电荷。恢复的电荷测量值为： 其中： t 0 是指电流通过零点时的时刻。 宽禁带 – 双脉冲测试分析 Tektronix2024年6月4日 反向恢复电荷 (Qrr) 是当功率器件从指定的正向电流条件切换到具有正向偏置栅极条件的指定反向电压条件时，在单个集电极电流或漏极电流脉冲的指定积分时间期间从功率器件恢复的总电荷。恢复的电荷测量值为： 其中： t 0 是指电流通过零点时的时刻。
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2021年10月22日 为了测量MOSFET 动态性能的四个指标（包括开关损耗、时间、过冲、开关速度），必须使设备工作，然后使用钳位电感负载 (CIL) 测试系统进行高精度测量。. 将 MOSFET 动态性能进行表征化的第一步是 SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed2021年10月22日 为了测量MOSFET 动态性能的四个指标（包括开关损耗、时间、过冲、开关速度），必须使设备工作，然后使用钳位电感负载 (CIL) 测试系统进行高精度测量。. 将 MOSFET 动态性能进行表征化的第一步是
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电流脉冲碳化硅 技术文库 碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题200553084905未知来源供稿1引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管功率MOS和绝缘栅双极晶体管IGBT等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。 电流脉冲碳化硅电流脉冲碳化硅 技术文库 碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题200553084905未知来源供稿1引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管功率MOS和绝缘栅双极晶体管IGBT等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。
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2022年12月20日 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法. 1.本发明涉及电力电子技术和电工技术领域，具体涉及一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法。. 2.由于之前广泛使用的以igbt和mosfet为代表的硅基半导体器件本身不提供电流源型逆变器拓扑多要求的反向电压 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法 - X技术网2022年12月20日 一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法. 1.本发明涉及电力电子技术和电工技术领域，具体涉及一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法。. 2.由于之前广泛使用的以igbt和mosfet为代表的硅基半导体器件本身不提供电流源型逆变器拓扑多要求的反向电压
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2022年2月23日 在碳化硅MOSFET上，有一些设计方面需要特殊注意，接下来，我们会进行详细讨论。并联碳化硅MOSFET主要需要注意的问题是如何能够很好的均流，因为只有很好的均流，才能让损耗和热量均衡，不至于超过其峰值电流限定或者热保护限定。 干货分享 关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分析 ...2022年2月23日 在碳化硅MOSFET上，有一些设计方面需要特殊注意，接下来，我们会进行详细讨论。并联碳化硅MOSFET主要需要注意的问题是如何能够很好的均流，因为只有很好的均流，才能让损耗和热量均衡，不至于超过其峰值电流限定或者热保护限定。
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1 天前 双脉冲测试的基础知识. 使用两台设备执行双脉冲测试。. 一台设备是被测设备 (DUT)，另一台设备通常与 DUT 属于同一类型。. 注意“高”侧设备上的感应负载。. 电感器用于复制转换器设计中可能存在的电路条件。. 使用的仪器包括用于提供电压的电源或 SMU，用 双脉冲测试 Tektronix1 天前 双脉冲测试的基础知识. 使用两台设备执行双脉冲测试。. 一台设备是被测设备 (DUT)，另一台设备通常与 DUT 属于同一类型。. 注意“高”侧设备上的感应负载。. 电感器用于复制转换器设计中可能存在的电路条件。. 使用的仪器包括用于提供电压的电源或 SMU，用
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2024年5月10日 由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。 对于SiC MOSFET功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度引起的驱动振荡问题尤为重要。 针对这些问题，设计了 ... 碳化硅模块（SiC模块/MODULE）大电流下的驱动器研究 ...2024年5月10日 由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。 对于SiC MOSFET功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度引起的驱动振荡问题尤为重要。 针对这些问题，设计了 ...
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2024年2月5日 3. 结果分析 3.1 DSRD 整形 在碳化硅DSRD基脉冲电路中，DSRD关断时DSRD以及负载Rl2上的电流如图4（a）所示：t1之前DSRD内充满正向注入的等离子体；t1到t2等离子体被抽取，器件基区内的载流子浓度降到平衡载流子浓度附近。 基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术 - 新闻通知 ...2024年2月5日 3. 结果分析 3.1 DSRD 整形 在碳化硅DSRD基脉冲电路中，DSRD关断时DSRD以及负载Rl2上的电流如图4（a）所示：t1之前DSRD内充满正向注入的等离子体；t1到t2等离子体被抽取，器件基区内的载流子浓度降到平衡载流子浓度附近。
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